Советские учёные были правы! Спустя 40 лет Россия и Китай возродят величайший проект времён СССР...
На излёте советской эпохи в Зеленограде должен был появиться самый амбициозный и дорогостоящий проект по развитию микроэлектроники за всю нашу историю. Высокоэнергетический источник рентгеновского излучения, созданный на базе синхротрона, мог бы вывести СССР в лидеры по микроэлектронике, наряду с западными странами.
Разумеется, в СССР до создания синхротрона в Зеленограде уже были ускорители частиц. Однако в Зеленограде реализовывался первый проект, который имел прикладное значение. Основная задача работы установки была связана с получением сверхбольших и сверхбыстродействующих интегральных схем. Прикладные фундаментальные исследования, такие как изучение физики вещества, были вторичными.
Ранее все ускорители частиц в СССР были нацелены на фундаментальные исследования.
Тогда в Советском Союзе были задействованы источники синхротронного излучения в «Сибирском центре синхротронного и терагерцового излучения», которые работали в сфере фундаментальных исследований, установки ВЭПП-3 и ВЭПП-4.
В Курчатовском институте шло строительство нового синхротрона, состоявшего из накопителей «Сибирь-1» и «Сибирь-2», который полноценно заработал уже после распада Союза в 1999 году и тоже был построен с целью изучения фундаментальной науки (Курчатовский источник синхротронного излучения).
Ещё один синхротрон должен был появиться в Зеленограде и иметь максимально прикладное значение в развитии отечественной микроэлектроники для продолжения успешной конкуренции с западными странами.
Синхротрон представляет собой закольцованную вакуумную камеру, в которой электроны ускоряются до скорости, близкой к скорости света. Траектория движения этих частиц регулируется мощными электромагнитами, в результате чего пучок частиц — этих самых электронов — тормозится, теряя энергию, и начинает излучать свет в рентгеновском диапазоне, причём довольно универсальном по своим характеристикам.
В зависимости от мощности пучка синхротрон способен генерировать излучение требуемой длины волны в его рабочем диапазоне. Длину волны можно регулировать и настраивать под требуемый вид задачи или исследования.
Синхротронное излучение помогает изучать точную структуру материалов, в том числе биологического происхождения, и в то же время может словно выжигать микроструктуры на кремниевых пластинах, формируя наноструктуры. Также можно проводить эксперименты с оптикой, рентгеновскими зеркалами и прочими многими полезными прикладными исследованиями.
Именно высокоэнергетическое рентгеновское излучение — это единственный на сегодня известный перспективный метод промышленного получения высокопроизводительных чипов с топологическими размерами транзисторов, сравнимыми с межатомными расстояниями, то есть меньше 1 нм.
Синхротрон должен был стать мощным инструментом достижения нанометровых размеров транзисторов в чипах, и в конечном итоге достигнуть фундаментального топологического предела.
Синхротрон, если его изначально спроектировать для прикладного значения, будет являться тем самым инструментом, позволяющим как разрабатывать, так и отрабатывать различные компоненты и агрегаты фотолитографов со всей сопутствующей химией для получения интегральных структур.
Советские учёные прекрасно понимали стоящую перед страной задачу развития микроэлектроники и, как они сами заявляли, от неё зависело само существование страны. От этого напрямую зависит то, насколько современной будет электронная начинка не только отечественных ракет, самолётов, танков, но и гражданской продукции: автомобилей, медицинского оборудования, систем связи, управления и многого другого.
К сооружению синхротрона в Зеленограде приступили в 1984 году.
Слева направо:
1. Савельев Виктор Александрович (второй секретарь РК КПСС);
2. Дьяков Юрий Николаевич;
3. Колесников Владислав Григорьевич;
4. Шокин Александр Иванович;
5. Васенков Александр Анатольевич;
6. Ларионов Анатолий Михайлович (первый секретарь РК КПСС).
Параллельно с этим проектом прорабатывался ещё более грандиозный проект синхротрона размером с целый микрорайон города (диаметром в 1 км) — Центр информатики и электроники (или сокращённо - ЦИЭ), строительство которого началось в 1987 году.
По краям главного ускорительного кольца должны были стоять корпуса научно-исследовательских институтов, а за ними — большие производственные комплексы и заводы, которые должны обеспечивать выпуск всей номенклатуры чипов для любых целей и проектов.
Внешний коллектор ЦИЭ изначально предназначался для ускорителя заряженных частиц, который должен был стать сердцем комплекса. Оттого вся архитектура приобрела радиальную структуру.
Проектируемый для комплекса «Синхротрон» представлял из себя полноценный прикладной инструмент, который должен был использоваться для исследования структур кристаллов и эпитаксиальных структур, а также для совершенствования фотолитографии.
Проект привлёк к себе внимание всего мира. Учёные из Японии, США, Италии, Германии и других стран заявили о заинтересованности в совместных исследованиях по целому спектру научных направлений в области микроэлектроники.
А сам Центр информатики и электроники должен был стать градостроительным предприятием, где работали бы самые высококвалифицированные специалисты в области микроэлектроники не только со стран Союза, но и со всего мира. С западными партнёрами была достигнута договорённость о создании международного центра синхротронной науки и технологии. Это сулило невероятные перспективы для развития отечественной и мировой микроэлектроники.
Однако в конце 1980-х годов началась так называемая "перестройка" со всеми сопутствующими проблемами, и денег стало не хватать не то что на постройку ускорителей, но и на банальное обеспечение продовольственной безопасности граждан Союза. Государственное финансирование сильно оскудело, и у проекта ЦИЭ начались первые финансовые трудности. Пришлось даже отказаться от строительства кольца синхротрона, уменьшив его в 10 раз, а потом и вовсе отказаться от идеи его строительства. А тем временем кризис стремительно развивался, и стройка ЦИЭ в какой-то момент просто встала на паузу, по итогу так и не возобновившись.
И тут информация рознится: одни утверждают, что фактически стройка остановилась в 1989 году, а другие, более достоверные срочники в лице самих строителей, называют 1992 год.
Как помню, ещё в школьном возрасте мы гуляли и играли в пейнтбол на этих развалинах, и никто из нас даже не догадывался о том, для чего были предназначены эти огромные строения. Теперь, осознавая это, у меня наворачиваются слёзы...
Десятилетиями никто не понимал, что делать с уже развалинами советского недостроя. Были даже проекты возрождения промзоны ЦИЭ, но дальше разговоров обычно дело не заходило. В 2007 году был даже представлен проект футуристического многофункционального комплекса «ИНФО-СИТИ», который должен был стать новым центром развития науки и образования в Зеленограде. Презентацию проекта провели «Фонд поддержки и развития физической культуры и спорта РФ», «Рособоронэкспорт» и «Российская Академия Наук».
В итоге ничего подобного так и не появилось, а в 2021 году было принято решение о сносе конструкций ЦИЭ и строительстве на его месте очередного жилого комплекса. Изначально жилой комплекс должен был сохранить кольцевую архитектуру ЦИЭ. Но вскоре и от этого отказались, поэтому теперь комплекс выглядит как совершенно типичный ЖК известного московского застройщика...
Однако, в отличие от ЦИЭ, более консервативный проект Зеленоградского синхротрона к распаду СССР был практически завершён.
В 1989 году заполучили даже подпись самого Бориса Николаевича Ельцина, тогдашнего руководителя Госстроя СССР. Вроде как было обещано ускорить строительно-монтажные работы на возводимом технологическом комплексе.
20 мая 1989 года Борис Николаевич выступил в Зеленограде со, скажем так, многообещающими заявлениями.
До распада СССР успели сделать всю технологическую структуру синхротрона и внутренние производственные корпуса. Большая часть оборудования для синхротрона была уже изготовлена, однако до 1991 года успели привезти лишь небольшую его часть, всё остальное продолжало храниться в Институте ядерной физики РАН под Новосибирском.
Доктор химических наук, профессор, специалист в области создания специальных материалов для электронной техники, директор НИИ особочистых материалов Борис Георгиевич Грибов вспоминает: «Я присутствовал в 1992 году на совещании, когда Гайдар был у нас в Зеленограде, и сказал, что "никакая микроэлектроника нам не нужна, бог нам дал нефть и газ — мы всё купим"».
Тогда некоторые учёные под влиянием западных коллег перестали видеть всякий смысл в строительстве синхротрона. Например, Геннадий Яковлевич Красников заявлял, что синхротрон заводу «Микрон» не нужен, ведь к тому времени на «Микроне» появились первые эксимерные лазеры, способные давать глубокий ультрафиолет, позволяющий в перспективе создавать топологический рисунок до 45 нм и менее.
Почему говорю про влияние западных коллег в этом вопросе? Дело в том, что на установке ВЭПП-3 присутствуют экспериментальная станция глубокой рентгеновской литографии «LIGA» и её более продвинутый аналог, появившийся на Курчатовском синхротроне «Сибирь-2».
Экспериментальная станция «LIGA» предназначена для рентгеновской литографии в толстых резистивных слоях для изготовления микроструктур и рентгеношаблонов, а также для методических исследований модификации веществ облучением.
Так что фундаментальные исследования в сфере рентгеновской литографии не останавливались, несмотря на появившийся скепсис западных, а позже и российских, учёных.
Конечно, многие учёные ссылались на опыт США и других стран, которые уже попробовали в 1980-х годах использовать синхротрон для формирования фотошаблонов на том же ультрафиолете. Тогда они не получили каких-либо заметных преимуществ по сравнению с новым поколением фотолитографов.
И действительно, фотолитографические машины от сегодняшнего лидера голландской компании "ASML" были буквально настольными по сравнению с ускорителями частиц, а главное - мобильными. При этом их разрешающая способность была сопоставима с тем, что удавалось получать американским учёным на синхротронах.
Подобные результаты заставили многих западных учёных сомневаться в самой концепции использования синхротронного излучения для развития соответствующей фотолитографии.
Однако учёные из НИИФП (научно-исследовательского института физических проблем им. Ф. В. Лукина) были куда дальновиднее, и понимали, что будущее — за рентгеновской литографией, а синхротрон — это ключевой инструмент для создания и изучения наноразмерных структур.
Поэтому, в отсутствие финансирования, строительство синхротрона при НИИФП продолжалось только на энтузиазме сотрудников института.
Сотрудники НИИФП буквально за свой счёт сделали всё возможное для этого проекта, начиная от ремонта в корпусах, заканчивая самостоятельным монтажом оборудования, которое также за свой счёт и своими силами перевозили с одного конца страны в другой.
Работа велась несколько лет, и за это время удалось полностью собрать малое кольцо синхротрона, предназначенного для первичного инжектирования электронных пучков в большое кольцо.
В декабре 2002 года состоялся долгожданный запуск синхротрона, правда, только его части — линейного ускорителя, который отработал в штатном режиме.
Помимо вложений учёных-энтузиастов, были вложения института, который истратил более 5 миллионов долларов собственных средств. Однако на дальнейшую доводку требовалось ещё как минимум 8 миллионов долларов.
В 2003 году был создан центр коллективного пользования «Синхротрон» на базе аналитических лабораторий центра физико-химических исследований и строящегося технологического накопительного кольца.
Ценой невероятных усилий, энтузиазма учёных и огромных задолженностей по зарплате этим же учёным из НИИФП к концу 2014 года удалось достроить синхротрон. В результате подобной научной и отчасти самовольной деятельности образовался чистый убыток института в 150 миллионов рублей и задолженность по зарплатам сотрудникам более 20 миллионов рублей.
Рассчитаться с долгами по зарплате НИИФП удалось лишь к 2018 году, однако институт влез в ещё большие долги, и ему пришлось объявить о банкротстве. Но даже тогда, уже в фактически готовом технологическом накопительном комплексе зеленоградского синхротрона полноценного запуска не произошло. Для этого всё ещё нужны были деньги, а НИИФП уже был банкротом.
Запуск переносили с 2015 на 2016, потом на 2018 и 2020 годы. К этому времени синхротрон значительно устарел, а НИИФП перешёл в полное подчинение к Курчатовскому институту.
В 2018 году было принято решение о строительстве в Сибири самого совершенного в мире источника синхротронного излучения — «Сибирского кольцевого источника фотонов СКИФ».
Стройка идёт полным ходом, в октябре 2022 года была испытана первая очередь линейного ускорителя.
В декабре 2024 года планируется запустить синхротрон, а в начале 2025 года приступить к его опытной эксплуатации.
Разумеется, как и любой научно-прорывной проект в России, СКИФ попал под санкции «коллективного Запада». Так, начиная с марта 2022 года, ряд зарубежных компаний отказались от поставки оборудования и материалов для ЦКП «СКИФ», включая мощные клистроны ("Canon", Япония), источники питания магнитов ("Danfysik", Дания), медные проводники ("Luvata", Финляндия), электротехническую сталь ("TyssenKrupp", Германия), электронику ("Libera", Словения), вакуумные компоненты ("VAT", Швейцария) и другие.
Пришлось всё импортозамещать... С того же марта 2022 года в ИЯФ СО РАН начато изготовление прототипов высокочастотных клистронов-генераторов (3 ГГц, 50 МВт), мощных импульсных модуляторов, источников питания электромагнитов, вакуумных элементов (шиберов, сильфонов и т. д.) и других компонентов ускорительного комплекса ЦКП «СКИФ».
По существу СКИФ — это наследник нереализованного синхротрона ЦИЭ, но использоваться он будет для научно-исследовательских целей, включая исследование рентгеновской оптики, фокусировки и рентгеновской литографии.
В 2019 году вышел указ о мерах по развитию в России синхротронных и нейтронных исследований. Одной из целей стало создание научных установок класса «мегасайенс»; тот же СКИФ или новый синхротрон «РИФ».
Курчатовский институт как раз и реализует проект "РИФ", а тут очень кстати на его балансе оказался по сути готовый накопительный комплекс в Зеленограде второго поколения, который нужно лишь модернизировать в третье поколение, вместо строительства нового комплекса с нуля, что было бы дороже примерно в 20 раз.
Однако в связи с последними событиями зеленоградский синхротрон всё же решено было не трогать, а подвергнуть глубокой модернизации до третьего либо до 3+ поколения, и в 2027–2028 годах запустить обновленный комплекс.
Вон оно как! А что вдруг случилось? Почему «внезапно», спустя 30 лет, вернулись к идее использовать синхротрон для микроэлектроники?
А случилось то, что и предсказывали советские учёные ещё в 1985 году: синхротроны — это будущее мировой микроэлектроники, они позволят достигнуть более тонких техпроцессов.
Например, возьмём Китай, который с 2019 года попал под запрет США на поставки фотолитографов с экстремальным ультрафиолетом (EUV-излучение) с длиной волны 13,5 нм, способным формировать топологию чипов до 3 нм, а с 2024 года под запрет попали и DUV-литографические машины, работающие в глубоком ультрафиолете на длине волны до 193 нм, используемые для производства чипов с нормами 65, 45, 22, 10 нм и 7 нм.
Китайские учёные «внезапно» объявили о начале работ над проектированием синхротрона для получения экстремального ультрафиолетового излучения, аналогичного EUV-излучению, применяемому на фотолитографах компании "ASML".
"ASML" вложили в разработку EUV-литографии 17 лет исследований и более 6 миллиардов евро.
И у них получилось. С 2013 года «ASML» — монополист в EUV-технологии.
Ни США, ни Япония, ни Южная Корея не смогли создать свои работоспособные аналоги, несмотря на всю свою мощную исследовательскую и экономическую базы.
А США взяли под полный контроль любую продажу EUV-литографов "ASML", и имеют на это право, ибо ASML используют наработки США в этой области.
Например, в 1994 году ведущими производителями микроэлектроники в США ("INTEL", "Motorola", "AMD" и "Micron Technology") был создан консорциум "EUVLLC", который получил государственное финансирование на разработку принципиальных основ создания лазерного плазменного источника излучения длиной волны около 13 нм.
Работа была выполнена за три года, после чего американская компания "CYMER", являющаяся крупнейшим производителем лазеров для установок фотолитографии, начала работы по созданию прототипа плазменного источника на 13,4–13,5 нм. Плазма создавалась и нагревалась путём испарения падающих капель олова с помощью мощного импульсного СО2-лазера.
В 2009 году компания «ASML» купила прототип источника для его интеграции с разрабатываемым рентгеновским сканером, который стал прототипом для будущей шестизеркальной системы «NXE 3300B», ознаменовав триумфальную победу над всеми конкурентами.
Более того, именно в США на заводе в Сан-Диего изготавливаются те самые генераторы ультрафиолетового излучения для литографов "ASML".
Как ни крути, но ни России, ни Китаю никогда не светит закупиться этими литографами. Это уже факт. И дело тут совсем не в санкциях или торговых войнах, а в монополии США по контролю этих технологий.
И вот тут синхротрон представляется выходом из этой патовой ситуации.
Профессор Чжао Ву из Стэнфордского университета представил базовую технологию, получившую название "steady-state microbunching" (SSMB).
В основе этого технологического метода лежит инновационная теория стационарного микроразбрасывания/стационарного микропучка (SSMB), предложенная профессором Чжао Ву и его студентом Дэниелом Ратнером в 2010 году.
Теория SSMB использует энергию, выделяемую заряженными частицами во время ускорения, в качестве источника света, что приводит к узкой полосе пропускания, малому углу рассеяния и непрерывному излучению в чистом экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
"SSMB" улавливает энергию, излучаемую заряженными частицами во время ускорения, преобразуя её в непрерывный чистый EUV-источник света. В сравнении с методом "ASML EUV" метод "SSMB" обладает большей мощностью и эффективностью, что потенциально снижает затраты на производство чипов.
Например, чистая мощность получаемого источника EUV-излучения, используемого в литографах компании "ASML", составляет 250 Вт. Однако вследствие множества отражений от зеркал, которая требуется для его фокусировки, до полупроводниковой пластины доходит 5–8 Вт, что откровенно маловато для производства чипов по 3-нанометровому техпроцессу, не говоря о 2-нм и 1,4-нм.
Процент годных чипов сильно падает!
Другой пример: компания "Apple" при переходе на 3-нанометровый техпроцесс в своих процессорах серии M3 для Mac и Apple A17 Bionic для iPhone 15 Pro обязала "TSMC" (контрактный тайваньский производитель чипов) взимать плату только за годные чипы, а не за всю пластину. "TSMC" пошла на такой шаг, так как процент годных 3-нанометровых чипов не превышает 70%, в то время как процент годных чипов по 7-нанометровой технологии составляет 98%. Таким образом компания "Apple" сэкономила миллиарды долларов, перейдя на новый техпроцесс и зарезервировав практически все их мощности по выпуску 3-нанометровых чипов.
В целом, мощность EUV-излучения (до отражения зеркалами) в литографах "ASML" для качественного изготовления 7-нанометровых чипов составляет 250 Вт, для 5-нанометровых — 350 Вт, для 3-нанометровых нужно уже 500 Вт. А для производства 2-1,4-нанометровых чипов требуется уже 1000 Ватт. В противном случае процент годных чипов сильно падает.
Технология "SSMB" в теории позволяет избежать подобных проблем, так как излучение достигает 1000 Вт, а узкая полоса пропускания света, которая формируется в самом синхротроне, требует меньше отражающих зеркал для дальнейшей фокусировки, тем самым до кремниевой пластины добирается в 10 раз больше мощности, что значительно повышает не только скорость производства, но и процент годных чипов.
В ТЕОРИИ!
Теорию нужно проверять, чем и занялся профессор Тан Чуаньсян из Университета Цинхуа, собрав команду специалистов для проведения экспериментов с SSMB-технологией.
Команда приступила к первому этапу проверки на метрологическом источнике света (MLS) в Берлине в 2017 году.
К 2019 году эксперимент увенчался успехом, что привело к публикации статьи в журнале "Nature" в 2021 году, разъясняющей это явление.
В результате эксперимента было зафиксировано устойчивое излучение на длине волны 13,5 нм, что является аналогом EUV-излучения литографов компании "ASML". Результаты обнадеживающие. Осталось только создать такой ускоритель частиц.
Сегодня в Китае обсуждают создание гигантской фабрики, на которой разместятся несколько литографических машин, сосредоточенных вокруг одного ускорителя (привет от советского проекта ЦИЭ).
Цель этой разработки — обеспечить конкурентоспособные производственные процессы (например, 2 нм и менее), которые будут использоваться для производства высокопроизводительных чипов без использования традиционных литографических сканеров с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV).
Как сами признаются китайские учёные, проект будет реализовываться не один год, и потребуется создать накопительное кольцо с длинной окружности от 300 до 470 метров. Предположительно, синхротрон начнут строить в 100 километрах к югу от Пекина, в районе Сюнъань.
Получается, что советские учёные были полностью правы. Вот только слава достаётся китайским, немецким и американским учёным...
Длина окружности уже построенного зеленоградского синхротрона, предназначенного как раз для рентгеновской литографии, составляет 115 метров и теоретически может обеспечивать производство чипов в большом диапазоне — от 300 до 10 нм.
Более того, лидер в передовой литографии, голландская компания «ASML», недавно признала, что следующее поколение литографических EUV-сканеров, обеспечивающее выпуск чипов 2нм и ниже, потребует более мощных источников EUV-излучения, которые по сложности и стоимости будут сопоставимы с проектами синхротронов. Недавно компания "Intel" заполучила от "ASML"первый (и пока единственный) прототип такой установки с высокой числовой апертурой для дальнейших исследований и разработки производства техпроцессов ниже 2 нм, серийное производство которых должно начаться в 2027 году.
Стоимость прототипа составила 380 миллионов долларов. Его упаковали в 230 ящиков и поместили в 13 морских контейнеров. Прототип отправился в исследовательский центр "Intel" в Орегоне, там эта система будет использоваться для экспериментов с получением техпроцессов менее 2 нм.
Однако выпускать чипы по технологии Intel 18A и Intel 20A будут на оборудовании прежнего поколения, на котором освоен техпроцесс 7/10-нм.
Формально это будет 7/10 нм, но благодаря новой слоистой структуре (сигнальные слои будут с одной стороны, а питание — с противоположной), представляющей собой реализацию транзисторов GAA (gate-all-around), когда затвор окружает тонкие наноленты со всех четырех сторон, маркетологам можно выдать 7/10 нм за 1,8 нм!
А вот переход к реальным 2 нм будет только исследоваться компанией "Intel".
Формально, все конкуренты "Intel" смогут производить чипы по технологиям «тоньше» 2 нм и без новых сканеров, но это потребует дополнительных затрат на оснастку и увеличит затраты времени на изготовление продукции, а также сильно увеличит процент брака.
Именно поэтому американской компании выдано «эксклюзивная фора» от "ASML", благодаря которой сегодня "Intel" опережает конкурентов в получении доступа к передовому оборудованию "ASML", а это значит, что её шансы на возвращение технологического лидерства в сфере литографии возрастают.
Для справки: "Intel" отстала от конкурентов, так как только в 2021 году был представлен 7-нанометровый техпроцесс (хотя многие эксперты называют его 10-нанометровым), когда конкуренты от "Samsung" и "TSMC" начали серийное производство чипов по 7-нанометровому техпроцессу в 2018 и 2017 году соответственно. Сегодня "Samsung" производит 4-нанометровый техпроцесс, "TSMC" — 3-нм, а "Intel" — честные 10-нм и не совсем честные 7-нм.
То, что зеленоградскому синхротрону решено дать вторую жизнь, является хорошей новостью для нас. Даже понимая, что петух уже устал клевать в одно место, лучше поздно, чем никогда.
Комплекс зеленоградского синхротрона дополнит целую полосу нововозводимых научно-производственных комплексов в области микроэлектроники в Зеленограде.
Так, в настоящее время практически полностью построен 11-этажный Центр инновационного проектирования, инжиниринга, трансфера технологий и специализированной подготовки кадров в области электроники.
Тут разместятся центры инжиниринга, трансфера технологий и специализированной подготовки кадров национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Здесь же будут развёрнуты лаборатории для организации проектной деятельности обучающихся, молодых учёных и инженеров под руководством ведущих конструкторов и учёных отрасли.
Тут ежегодно будут проходить практику и обучение не менее 300 студентов университета, обучающихся по ключевым для электронной промышленности направлениям подготовки.
В 2023 году достроен пятиэтажный производственный корпус, где сегодня разрабатывают отечественные литографы, под это дело созданы производственные участки и опытно-конструкторские отделы. В них специалисты МИЭТ и «Зеленоградского инновационно-технологического центра» (ЗИТЦ) разрабатывают, исследуют и внедряют новые электронные разработки.
Планировка и оснащение первого корпуса полностью интегрированы с производственными участками и опытно-конструкторскими отделами. Это даст возможность разработчикам — научным коллективам МИЭТа, ЗИТЦ и завода «Протон» — оперативно отрабатывать, апробировать и внедрять новые технологические решения, материалы, компоненты и готовую аппаратуру.
Помимо этого, буквально в полукилометре отсюда реализуется первый со времён СССР научно-производственный комплекс по развитию и производству микроэлектроники. Вот так, после 30-летнего перерыва пришло понимание, что без производства собственной высокоуровневой электроники суверенитет России невозможен, поэтому и взялись за масштабную стройку, начав возрождать старые наработки Союза.
И это поистине грандиозный проект, сравнимый, наверное, с проектом ЦИЭ, так как запланировано строительство шести научно-производственных корпусов высотой до 9 этажей и 30-этажной административной «башни» на месте старых зданий завода «Ангстрем» и обанкротившегося предприятия «Ангстрем-Т».
Там будут развивать и выпускать технологии 28 нм, 14 и 7 нм с перспективой перехода к более тонким техпроцессам.
Самое главное, на мой взгляд, то, что подобный проект реализует непосредственно национальный исследовательский университет «МИЭТ», который выпускает специалистов, профессоров и докторов наук по этой самой микроэлектронике.
Поэтому сама цель строительства нового комплекса по производству микроэлектроники — это не только освоение передовых технологий и новых техпроцессов, что, безусловно, важно, но и возрождение науки по микроэлектронике.
Строящиеся научно-производственный комплекс и МИЭТ будут максимально интегрированы друг в друга, и вот именно подобная тесная кооперация способна возродить микроэлектронику в России. И это действительно первый со времён СССР масштабный проект по развитию микроэлектроники в нашей стране.
Всё потому, что строить фабрику по производству микроэлектроники отдельно от развития фундаментальной научной базы и, главное, специалистов — путь в никуда. И мы его проходили на печальном опыте «Ангстрема-Т», который запустить не могут вот уже 10 лет.
