Вскрытие самой передовой памяти Micron подтвердило, что равных ей нет — Samsung пока что отстаёт
22
В мае высокопоставленный представитель Samsung подтвердил, что вся выпускаемая компанией оперативная память класса 10 нм находится в «дальней» части 10-нм шкалы (ближе к 20 нм). Заявление было сделано на фоне опасения инвесторов о превосходстве DRAM-техпроцессов компании Micron. Поэтому Samsung пообещала начать выпуск «настоящей» 14-нм DRAM этой осенью, в чем должна догнать и даже перегнать американского конкурента. Но пока что подтвердилось, что Micron впереди. Известная своими «вскрытиями» полупроводников компания TechInsights изучила новейший кристалл Z41C DRAM Micron, выпускаемый тайваньским производством компании. Эта память производится с использованием техпроцесса 1α (альфа) класса 10 нм. В Micron не раскрывают минимальные размеры элементов на кристалле, как и в Samsung, и в других компаниях. Согласно подсчётам TechInsights, битовая плотность чипа Z41C составляет 0,315 Гбит/мм2. Из этого сделан расчёт, который дал размер «half pitch» — половину шага между соседними токопроводящими дорожками, по которым сегодня определяют техпроцесс — равным 14,3 нм.